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当前存储芯片行业正处在由AI驱动的超级周期中,而非濒临死亡的边缘。海力士(SK hynix)作为HBM绝对龙头,确实已率先兑现了最极致的盈利爆发,但其特殊性并不代表整个储存赛道已到终点。相反,通用DRAM、企业级SSD以及相关NAND产品的供需缺口仍在扩大,价格上涨趋势明确,且扩产周期漫长,泡沫短期内难以破裂。更关键的是,美国相关存储科技公司尚未大规模上市“吸血”,资本退出压力尚未集中释放,这进一步延缓了周期顶部的到来。
先看基本面。2026年上半年,全球存储市场在AI服务器需求推动下持续紧缺。DRAM bit需求增速预计达25%左右,NAND接近20%,而新增产能受制于先进制程复杂度、EUV设备与新厂建设周期,短期内难以大幅释放。海力士凭借HBM3E/HBM4的领先地位,上半年营收突破130万亿韩元,净利润同样创纪录,毛利率高达80%以上,英伟达等客户贡献显著。但其核心逻辑是“高附加值产品优先”,普通服务器DRAM与企业级SSD的价格同样在大幅上涨,三星、美光等同行业绩同样高增。库存水平普遍处于历史低位(2-4周),远低于下行周期前的水平。长期供货协议(LTA)覆盖率提升至50%-70%,锁定未来数年需求可见度。这些都表明,当前并非传统周期性的短期炒作,而是结构性短缺。
海力士之所以“除外”,在于它最早、最深地绑定了AI算力链条。HBM市占率长期维持在55%以上,与英伟达深度协同,定价权强,利润率远超同行。但其偏科明显——NAND份额相对较弱,且高度依赖少数大客户。一旦HBM供需逐步平衡,或中国厂商(长鑫科技、长江存储)在通用DRAM与成熟NAND上加速替代,海力士的超额收益可能收敛。然而,这并不拖累整个储存行业:服务器用高容量DRAM与QLC企业级SSD需求仍在爆发,汽车、端侧AI设备的存储含量也在提升。2027年被多方预警为“史上最严重存储荒”,产能真正放量要等到2027年下半年至2028年。供需错配还将持续至少1-2年。
资本层面的“吸血”尚未全面启动,是泡沫难破的重要缓冲。海力士本身已于2026年7月以ADR形式登陆纳斯达克,募资规模创纪录,但更多是估值重估与美国投资者通道打开,而非大规模减持套现。真正潜在的“吸血”压力来自尚未上市的美国相关实体。例如,海力士旗下美国NAND子公司Solidigm(前身英特尔NAND业务)已启动Pre-IPO融资,目标估值超350亿美元,正积极筹备纳斯达克上市。一旦正式IPO并释放流通筹码,可能引发阶段性获利了结与估值波动。另一潜在对象是其他美国存储相关科技公司(如专注企业级SSD或新型存储方案的玩家),它们仍处私有阶段,尚未通过公开市场大规模抽血。这些公司的上市节奏将决定资本退出节奏。在它们完成IPO并充分消化估值之前,行业整体资金仍偏向流入而非流出,泡沫破裂的导火索缺失。
历史上,存储周期的顶部往往伴随产能集中释放、库存堆积与资本疯狂套现。当前情况截然不同:扩产谨慎(优先HBM与高附加值),客户锁定长协,中国本土替代虽加速但短期内难以填补高端缺口。估值层面,即使海力士、美光等已大幅上涨,远期市盈率在盈利爆发后仍相对可控,市场更多交易的是“短缺持续性”而非纯粹泡沫。长鑫科技登陆科创板引发短暂波动,但并未扭转全球供需紧张格局。
当然,风险始终存在。若AI资本开支大幅放缓、地缘政治冲击供应链,或新产能意外提前释放,周期可能提前转向。但以目前数据看,2026-2027年需求仍将强于供给,价格中枢有望维持高位。储存行业远未死亡,海力士的超强表现只是先行指标,而非终点信号。美国相关科技公司尚未完成上市吸血,意味着资本盛宴仍有后续章节,泡沫破裂远未到倒计时。投资者需关注供需数据、长协进展与新产能时间表,而非单纯盯着短期估值波动。这场由AI重塑的存储超级周期,至少还能再走一段。
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